سيمڪڊڪٽر پريشر سينسرز کي ٻن ڀاڱن ۾ ورهائي سگھجي ٿو، ھڪڙو ان اصول تي مبني آھي ته I-υ خاصيتون سيميڪنڊڪٽر PN جنڪشن (يا اسڪوٽڪي جنڪشن) دٻاءَ ۾ تبديل ٿينديون آھن. هن دٻاء جي حساس عنصر جي ڪارڪردگي تمام غير مستحڪم آهي ۽ تمام گهڻو ترقي نه ڪيو ويو آهي. ٻيو آهي سينسر سيميڪنڊڪٽر پيزورسسٽيوٽ اثر تي ٻڌل آهي، جيڪو سيمي ڪنڊڪٽر پريشر سينسر جو مکيه قسم آهي. شروعاتي ڏينهن ۾، سيمي ڪنڊڪٽر اسٽرين گيجز گهڻو ڪري لچڪدار عناصر سان جڙيل هوندا هئا ته جيئن مختلف دٻاءُ ۽ دٻاءُ کي ماپڻ جا اوزار ٺاهي سگهجن. 1960ع واري ڏهاڪي ۾، سيمي ڪنڊڪٽر انٽيگريٽڊ سرڪٽ ٽيڪنالاجي جي ترقيءَ سان، هڪ سيمي ڪنڊڪٽر پريشر سينسر، ڊفيوشن رزسٽر سان گڏ پائيزورسسٽو عنصر طور ظاهر ٿيو. هن قسم جي پريشر سينسر ۾ سادو ۽ قابل اعتماد ڍانچو هوندو آهي، جنهن ۾ ڪو به لاڳاپو حرڪت وارو حصو نه هوندو آهي، ۽ سينسر جو پريشر حساس عنصر ۽ لچڪدار عنصر ضم ٿيل هوندو آهي، جيڪو ميڪيڪل ليگ ۽ ڪرپ کان بچائيندو آهي ۽ سينسر جي ڪارڪردگي کي بهتر بڻائيندو آهي.

Semiconductor جي Piezoresistive Effect Semiconductor جي خارجي قوت سان لاڳاپيل هڪ خصوصيت آهي، يعني مزاحمتي قوت (علامت ρ جي ذريعي ظاھر ڪئي وئي) ان جي برداشت جي دٻاءَ سان تبديل ٿيندي آھي، جنھن کي پيزورسسٽو اثر چئبو آھي. يونٽ جي دٻاءَ جي عمل هيٺ مزاحمت جي لاڳاپي واري تبديلي کي پيزورسسٽيوٽ ڪوفيشيٽ چئبو آهي، جنهن کي علامت π سان ظاهر ڪيو ويندو آهي. رياضياتي طور تي ρ/ρ = π σ طور ظاهر ڪيو ويو آهي.

جتي σ دٻاء جي نمائندگي ڪري ٿو. مزاحمت جي قدر جي تبديلي (R/R) دٻاء هيٺ سيمي ڪنڊڪٽر مزاحمت جي ڪري بنيادي طور تي مزاحمت جي تبديلي جي ذريعي طئي ڪيو ويندو آهي، تنهنڪري piezoresistive اثر جو اظهار پڻ R/R = πσ طور لکي سگهجي ٿو.

خارجي قوت جي عمل هيٺ، سيمي ڪنڊڪٽر ڪرسٽل ۾ ڪي خاص دٻاءُ (σ) ۽ strain (ε) پيدا ٿين ٿا، ۽ انهن جي وچ ۾ تعلق مادي جي Young's modulus (Y) ذريعي طئي ٿئي ٿو، يعني Y=σ/ε.

جيڪڏهن piezoresistive اثر جو اظهار ڪيو ويندو آهي دٻاء جي ذريعي سيمي ڪنڊڪٽر تي، اهو آهي R/R=Gε.

G کي پريشر سينسر جي حساسيت جو عنصر سڏيو ويندو آهي، جيڪو يونٽ جي دٻاء هيٺ مزاحمت جي قيمت جي لاڳاپي تبديلي جي نمائندگي ڪري ٿو.

Piezoresistive coefficient يا sensitivity factor آهي بنيادي فزيڪل پيٽرولر سيميڪنڊڪٽر پيزورسسٽو اثر جو. انهن جي وچ ۾ لاڳاپو، جهڙوڪ دٻاء ۽ دٻاء جي وچ ۾ لاڳاپو، مادي جي نوجوان ماڊلس طرفان طئي ڪيو ويندو آهي، اهو آهي، g = π y.

لچڪداريءَ ۾ سيمي ڪنڊڪٽر ڪرسٽل جي انيسوٽراپي جي ڪري، ينگ جو ماڊيولس ۽ پيزورسسٽو ڪوئفيشٽ ڪرسٽل جي رخ سان تبديل ٿئي ٿو. سيميڪنڊڪٽر پيزورسسٽيوٽ اثر جي شدت پڻ سيمي ڪنڊڪٽر جي مزاحمت سان ويجهي سان لاڳاپيل آهي. مزاحمت جي گھٽتائي، حساسيت جو عنصر ننڍڙو. diffusion resistance جو piezoresistive اثر جو تعين ڪيو ويندو آھي ڪرسٽل ائنٽيشن ۽ ناپاڪ ڪنسنٽريشن جي diffusion resistance جي. نجاست جي ڪنسنٽريشن خاص طور تي ڊفيوشن پرت جي مٿاڇري جي ناپاڪي ڪنسنٽريشن ڏانهن اشارو ڪري ٿي.